Сетевое зарядное устройство Acefast A21 GaN USB Type C 30W, PD, QC 3.0, белое
-12%
12.10 €10.60 €
Код товара: 142204
Есть на складе поставщика
Доступно для заказа: 10+ шт.
Время доставки: 5–12 рабочих дней
Способы доставки в:
Латвия
Самовывоз из офиса
Ожидается: 06.11.–17.11.
Бесплатно
Доставка в пакомат
Ожидается: 10.11.–19.11.
от 1.90 €
Курьерская доставка
Ожидается: 10.11.–19.11.
от 4.90 €
Acefast A21 — это быстрое сетевое зарядное устройство с портом USB Type C, обеспечивающее мощность зарядки до 30 Вт. Электронные компоненты устройства выполнены по технологии GaN (на основе нитрида галлия), что обеспечивает повышенную эффективность работы и сниженное потребление энергии при минимальном нагреве.
Основные преимущества
- Работа с мощностью до 30 Вт: обеспечивает быструю зарядку совместимых устройств через порт USB Type C.
- Технология GaN: компоненты на основе нитрида галлия выдерживают большие нагрузки с минимальными потерями энергии на выделение тепла.
- Быстрая зарядка PPS: технология Programmable Power Supply совместима со многими стандартами быстрой зарядки, включая Power Delivery и Quick Charge.
- Встроенные системы защиты: процессор контролирует процесс зарядки, защищая устройство от перегрева, перенапряжения, перегрузки и электростатического разряда.
- Огнестойкий корпус: изготовлен из огнестойкого поликарбоната (PC) с классом пожаробезопасности V0.
| Бренд | Acefast |
|---|---|
| Модель | A21 |
| Входной ток | AC 100-240V, 1.0A, 50 / 60Hz, вилка EU |
| Выходной разъем | USB Type C |
| Максимальная мощность | 30W |
| Материал | Огнестойкий поликарбонат (класс V0) |
| Размеры | 81.8 x 28 x 43.7 мм |
| Вес | 63 г |
| Цвет | Белый |
| Протоколы быстрой зарядки | PPS, Power Delivery, Quick Charge 3.0, AFC, FCP |
| Сертификаты | CE, RoHS, EAC, ERP6, PSE, 3C |
| EAN | 6974316281139 |
|---|
Какие протоколы быстрой зарядки поддерживает зарядное устройство?
Устройство поддерживает стандарты быстрого заряда PPS, Power Delivery, Quick Charge 3.0, AFC и FCP.
В чем преимущество использования технологии GaN в этом зарядном устройстве?
Технология GaN базируется на использовании нитрида галлия вместо кремния. Это позволяет зарядным компонентам работать более эффективно, выделять меньше тепла и снижать общее потребление энергии.
